トヨタ MIRAI 新型 デンソーのSiCパワー半導体搭載昇圧用パワーモジュール採用

デンソーは12月10日、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールがトヨタ自動車が発表した新型トヨタ『MIRAI』（ミライ）に採用されたと発表した。

電動車両向けパワー半導体は従来、コスト面などから多くがSi（シリコン）製を採用している。SiCは高温、高周波、高電圧環境での性能がSiより優れていることから、システムの電力損失低減、小型化、軽量化に貢献し、電動化を加速させるキーデバイスの材料として注目されている。

デンソーは、2014年にSiCトランジスタをオーディオ向けに実用化し、2018年には車載用SiCダイオードを燃料電池バスで実用化した。

今回、新たに車載用SiCトランジスタを開発し、デンソーとして初めてSiCトランジスタとSiCダイオードの両方が車に搭載される。新開発SiCトランジスタは、トレンチゲート型を採用したデンソー独自の構造や加工技術によって厳しい環境下で求められる高信頼性と高性能を両立させるとしている。

SiCパワー半導体（ダイオード、トランジスタ）を搭載した昇圧用パワーモジュールと、従来のSiパワー半導体搭載製品を比較すると、体積が約30％削減、電力損失を約70％低減し、昇圧用パワーモジュールの小型化と燃費向上に貢献しているという。